Samsung применит 30-нанометровую технологию для создания микросхем памяти

DDR3 DRAM (Double-Data-Rate Three Dynamic Random Access Memory) — динамическая память с произвольным доступом, используемая в разнообразных вычислительных устройствах. DDR3 имеет уменьшенное на 40% потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным с 1,8 до 1,5 В напряжением питания ячеек, сообщает Компьюлента со ссылкой на PC World.

По заявлениям "Самсунга", 30-нанометровые микросхемы DDR3 DRAM обладают на 30% меньшим энергопотреблением по сравнению с чипами, производящимися по 40-нанометровой методике. Это, в частности, позволит несколько увеличить время автономной работы ноутбуков.

Продемонстрированные образцы микросхем имеют емкость 2 Гбит, напряжение питания может составлять 1,5 или 1,35 В. Ожидается, что чипы найдут применение в настольных компьютерах, лэптопах, нетбуках, серверах и мобильных устройствах.

Массовое производство 30-нанометровых микросхем DDR3 DRAM будет освоено компанией во второй половине текущего года.