Комп'ютери помітно порозумнішають: скоро буде реалізована революційна пам'ять ULTRARAM

Комп'ютерна пам'ять ULTRARAM, що поєднує в собі найкращі характеристики флеш-пам'яті, DRAM і NAND незабаром може бути реалізована на кремнієвих пластинах. Про це повідомляє видання sciencedaily.com.

"ULTRARAM — це новий тип пам'яті з винятковими властивостями. Вона поєднує в собі енергонезалежність і надійність флеш-пам'яті, швидкість, енергоефективність і довговічність DRAM (DRAM — вид комп'ютерної пам'яті, що працює завдяки використанню напівпровідникових матеріалів і має доступ до даних, що зберігаються в різних осередках, — ред.)", — йдеться у матеріалі.

Завдяки співпраці фізичного й інженерного факультетів Ланкастерського університету та фізичного факультету Університету Ворвік (Великобританія), нова пам'ять продемонструвала свої можливості, будучи реалізованою на кремнієвих пластинах.

"ULTRARAМ на кремнії — це величезний крок, що дозволяє подолати дуже серйозні проблеми з матеріалами, переходом від елементарних до основних напівпровідників, а також проблеми, що виникають під час термічного стискання", — прокоментував професор Манус Хейн, який очолює групу вчених.

Цифрова електроніка, що є основою всіх гаджетів, від смарт-годинників і смартфонів до персональних комп'ютерів і центрів обробки даних, використовує процесори та карти пам'яті, виготовлені з такого напівпровідника, як кремній. У всьому світі працює безліч фабрик із виробництва мікросхем, тому запуск нового типу комп'ютерної пам'яті не буде проблематичним, упевнені дослідники.

"Варто зазначити, що ULTRARAM на кремнії перевершує інші типи пам'яті на напівпровідникових пластинах, де застосовується арсенід галію (GaAs). Пам'ять на кремнії здатна зберігати дані не менше 1 000 років, має високу швидкість перемикання і відрізняється великою "витривалістю" — кількість циклів стирання-запису даних становить не менше 10 млн, що в 100-1 000 разів більше, ніж може витримати флеш-пам'ять", — зазначають журналісти.

Зазначимо, що пам'ять ULTRARAM функціонує так: інформація "розміщується" в електрони, кожен з яких займає свій осередок. При цьому кожен електрон утримується в осередку завдяки напівпровіднику, властивості якого є свого роду "бар'єрами". За допомогою малої напруги бар'єри можна послаблювати, відкривати, закривати, щоб електрон виходив із комірки або, навпаки, входив у неї, і так шифрував інформацію в двійковий код — 0 та/або 1.

Раніше ми повідомляли про те, що американські вчені мають намір запустити суперкомп'ютер Frontier у 2022 році. Пристрій зможе подолати екзафлопний бар'єр, упевнені вони.