Найден способ удвоения флэш-памяти

Совершенствование норм технологических процессов производства флэш-памяти приводит к тому, что размеры отдельных ячеек по горизонтали уменьшаются существенно быстрее, нежели по вертикали. Иными словами, ячейки памяти превращаются в некое подобие "небоскребов". Однако, как отмечает Дон Барнетсон, директор по маркетингу Nanosys, электрическое взаимодействие между такими "небоскребами" отрицательно отражается на надежности микрочипов, передает "Компьютерра".

Барнетсон объясняет, что сейчас группы электронов в ячейках памяти, представляющие биты информации, находятся в небольшой области поликристаллического кремния - так называемом "плавающем затворе" (floating gate). При этом "плавающий затвор" окружен толстым слоем изолирующего материала, препятствующего утечке электронов. Однако по мере уменьшения размеров ячеек начинает возрастать их паразитное влияние друг на друга.

Компания Nanosys предлагает использовать вместо "плавающего затвора" самособирающиеся металлические нанокристаллы. Это позволит уменьшить толщину изолирующего слоя и, соответственно, повысить плотность размещения ячеек памяти. Кроме того, методика Nanosys обладает и рядом других достоинств. В частности, память, выполненная по новой технологии, будет потреблять меньше энергии в процессе чтения или записи информации. Кроме того, данные в ячейках памяти могут перезаписываться неограниченное количество раз.

Важно отметить, что специалистам компании Nanosys удалось решить одну из основных трудностей, связанных с применение самособирающихся нанокристаллов в составе микрочипов флэш-памяти. Исследователи смогли найти способ распределения одноразмерных нанокристалов высокой плотности на подложке. Методикой Nanosys уже заинтересовались компании Intel и Micron Technologies. Коммерциализация технологии запланирована на 2009 год.