Китайцы все равно делают топовые чипы, несмотря на санкции США: как это удается
Huawei удваивает усилия в области производства процессоров и уже разрабатывает два новейших 3-нм чипа, несмотря на американские санкции, ограничивающие Китаю доступ к передовым технологиям.
Об этом пишет gizmochina.com.
Согласно информации инсайдеров, Huawei изучает как конструкцию на основе полевого транзистора Gate-All-Around (GAA), так и футуристический полупроводник на основе углеродных нанотрубок, выпуск которого запланирован на 2026 год.
В частности, отчет тайваньского издания UDN раскрывает двухканальный подход Huawei к 3-нм чипам, основанный на недавнем успехе с 5-нм Kirin X90, произведенным SMIC без машин EUV ASML. Вместо этого SMIC использовала старую литографию DUV с многошаблонным нанесением – сложный и дорогостоящий метод, который достигал дохода в 20% (это низкий показатель по сравнению с лидерами отрасли, такими как TSMC).
Чип GAA FET 3 нм, который обещает лучшую энергоэффективность и производительность по сравнению с предыдущими чипами Kirin. Он должен выйти в 2026-м, а массовое производство запланировано на 2027 год.
Тем временем Huawei экспериментирует с чипами на основе углеродных нанотрубок 3 нм – смелый шаг, который, несмотря на риски, может превзойти традиционный кремниевый подход.
Расчет в том, что из-за ограничений DUV массовое производство может стать еще более дорогим и сложным. А Huawei делает серьезную ставку на свои 37 млрд долларов инвестиций в китайскую технологию EUV, и некоторые инсайдеры утверждают, что она может быть готова уже в следующе году.
При этом Huawei держит любые подробности EUV в секрете. Выпуск Kirin 9010 тоже проходит в режиме почти полной секретности.
3-нм прорыв с использованием GAA и потенциально углеродных нанотрубок может сократить разрыв китайской компании с ее тайваньским и южнокорейским конкурентами – TSMC и Samsung, которые уже используют EUV для 3-нм.
Как отмечает издание, если Huawei справится с этим вызовом, она может изменить роль Китая в гонке чипов, – хотя низкая доходность и зависимость от DUV все-таки остаются препятствиями.
Что такое нанометровый техпроцесс
Нанометровый техпроцесс — характеристика производственного процесса, который определяет размер транзисторов на чипе. Он измеряется в нанометрах (нм), где 1 нм = 10^-9 м (одна миллиардная часть метра). Чем меньше нанометровый техпроцесс, тем больше транзисторов можно разместить на единице площади чипа, что приводит к увеличению производительности и снижению энергопотребления. Например, техпроцесс 5 нм означает, что транзисторы на чипе имеют размер 5 нанометров. Современные процессоры и чипы часто используют техпроцессы 3, 4, 5, 7 нм и ниже.
Нанометровый техпроцесс обозначает размер транзисторного слоя на чипе, чаще всего длину затвора транзистора. Он также позволяет разместить больше транзисторов на чипе, что приводит к повышению производительности и сложности устройств.
С уменьшением размера транзисторов снижается потребление энергии на каждый транзистор, что важно для мобильных устройств и других приложений. Чем больше транзисторов на чипе, тем больше вычислительной мощности он имеет и может выполнять более сложные операции.
Напомним, в мае этого года компания Huawei представила сенсорный ноутбук без клавиатуры MateBook Fold Ultimate Design. В разложенном виде он выглядит как тонкий 18-дюймовый сенсорный экран, причем толщина составляет всего 7,3 мм (даже меньше, чем у смартфона iPhone 16).
В том же месяце Huawei показала свой первый складной ПК – а до этого провела презентацию собственной операционной системы для настольных персональных компьютеров.