Samsung создала память, благодаря которой ИИ станет умнее в два раза

Samsung Electronics на своем официальном ресурсе опубликовала новость о том, что разработала первую в мире память с высокой пропускной способностью (англ. "high bandwidth memory", HBM) со встроенными вычислительными блоками, предназначенную для тех задач, которые ставятся перед искусственным интеллектом. Благодаря особенности ее архитектуры, которую обозначают, как "вычисления в памяти" — processing-in-memory, PIM, производительность ИИ-платформ и систем машинного обучения можно будет повысить в два раза и при этом снизить потребление энергии на 70 %.

Представители компании заявили, что при создании памяти HBM-PIM были использованы новые подходы в архитектуре вычислительных систем. К примеру, в классической архитектуре фон Неймана чип и память находятся в разных местах, а потому должны передавать данные для обработки и хранения в обоих направлениях. А архитектура HBM-PIM позволяет обрабатывать данные непосредственно в памяти — там, где они хранятся. Оптимизированный DRAM ИИ-движок размещен в каждом банке памяти и обеспечивает параллельную обработку данных.

Архитектуру HBM-PIM можно программировать. Благодаря этому память можно будет применять в разных приложениях — от машинного обучения до принятия решений и логических выводов. Примечательно, что при использовании HBM-PIM-памяти не нужно будет вносить изменения в аппаратное или программное обеспечения, что позволяет ускорить интеграцию в существующие системы.

Некоторые партнеры Samsung уже приступили к тестированию памяти HBM-PIM на своих ИИ-платформах. Если все тесты пройдут успешно, то со второго полугодия память начнут использовать в коммерческих продуктах. Подробности о новой технологии компания расскажет в ходе конференции ISSCC, которая состоится 22 февраля 2021 года.