Samsung створила пам'ять, завдяки якій ШІ стане розумнішим у два рази

Samsung Electronics на своєму офіційному ресурсі опублікувала новина про те, що розробила першу у світі пам'ять з високою пропускною здатністю (англ. "High bandwidth memory", HBM) з вбудованими обчислювальними блоками, призначену для тих завдань, які ставляться перед штучним інтелектом. Завдяки особливості її архітектури, яку позначають як "обчислення в пам'яті" — processing-in-memory, PIM, продуктивність ШІ-платформ і систем машинного навчання можна буде підвищити у два рази і при цьому знизити споживання енергії на 70%.

Представники компанії заявили, що при створенні пам'яті HBM-PIM були використані нові підходи в архітектурі обчислювальних систем. Наприклад, у класичній архітектурі фон Неймана чіп і пам'ять розташовані в різних місцях, а тому повинні передавати дані для обробки і зберігання в обох напрямках. А архітектура HBM-PIM дозволяє обробляти дані безпосередньо в пам'яті — там, де вони зберігаються. Оптимізований DRAM ШІ-движок розміщений у кожному банку пам'яті і забезпечує паралельну обробку даних.

Архітектуру HBM-PIM можна програмувати. Завдяки цьому пам'ять можна буде застосовувати в різних додатках — від машинного навчання до прийняття рішень і логічних висновків. Примітно, що при використанні HBM-PIM-пам'яті не потрібно буде вносити зміни в апаратне або програмне забезпечення, що дозволяє прискорити інтеграцію в чинні системи.

Деякі партнери Samsung уже приступили до тестування пам'яті HBM-PIM на своїх ШІ-платформах. Якщо всі тести пройдуть успішно, то з другого півріччя пам'ять почнуть використовувати в комерційних продуктах. Подробиці про нову технологію компанія розповість у ході конференції ISSCC, яка відбудеться 22 лютого 2021 року.