В Intel впроваджують концепцію "Закон Мура 2.0", згідно з якою кількість транзисторів подвоюватиметься кожні 3 роки і незабаром досягне 1 трильйона.
Пет Гелсінгер, генеральний директор компанії Intel, під час виступу в Массачусетському технологічному інституті заявив, що його колеги поставили перед собою амбітну мету: розмістити 1 трлн транзисторів на одному чипі до 2030 року. Це в 70 разів більше, ніж має процесор найостаннішої моделі виробника, передає сайт Tom's Hardware.
Основною "складовою" будь-якого чипа є транзистор. Що більше транзисторів, то вища продуктивність і обчислювальна потужність чипа. Тут усе працює за таким самим принципом, як і мозок людини: що більше нейронних зв'язків, то людина ерудованіша, мудріша. Кожне наступне покоління процесорів отримує більшу кількість транзисторів, ніж попереднє, і тому "розумнішає".
Відповідно до закону Мура, кількість транзисторів збільшуватиметься у 2 рази кожні 2 роки. Гелсінгер сказав, що компанії-виробники досі дотримуються закону Мура, однак нарощують кількість транзисторів не раз на 2 роки, а раз на 3 роки. Він зазначив, що технології виготовлення чіпів ускладнюються, а тому швидкість нарощування знижується. Незважаючи на це, закон Мура працює, хоча деякі фахівці ще кілька років тому намагалися його "поховати".
За словами топ-менеджера, компанія Intel має всі можливості для того, щоб до 2030 року створити процесор з 1 трлн транзисторів, тоді як сьогодні найбільший чип в одному корпусі містить близько 100 мільярдів транзисторів. Для цього в рамках нової концепції "Закон Мура 2.0" або "Закон Супер Мура" планують впровадити такі рішення, як: застосування схеми PowerVIA і забезпечення живлення за її лініями, технологічного процесу RibbonFET, зменшення габаритів транзисторів і збільшення їхньої щільності завдяки розташуванню одних над іншими (таку технологію називають 3D-упаковкою).
Раніше ми повідомляли про те, що інженер-ентузіаст виявив у старому комп'ютері загадковий прозорий чіп. Він з'ясував, що процесор зроблений на сапфіровій підкладці. Така технологія застосовувалася в електроніці космічних апаратів і зондів.