Новий метод SAQP допоможе знизити кількість нанометрів й водночас нове обладнання не знадобиться.
Китайські компанії Huawei і SiCarrier активно розробляють технологію self-aligned quadruple patterning (SAQP), яка може допомогти виробляти 5-нм чипи за допомогою старих інструментів, передає Вloomberg.
Компанія Huawei Technologies Co. та один з її партнерів з виробництва процесорів, SiCarrier, подали патенти на низькотехнологічний, але потенційно ефективний спосіб виготовлення передових напівпровідників. Це свідчить про те, що у Китаю з'явиться можливість поліпшити методи виробництва чипів, незважаючи на спроби США зупинити технологічний прогрес КНР.
Згідно з патентними заявками, поданими до китайського органу інтелектуальної власності, йдеться про технологію під назвою self-aligned quadruple patterning — самовирівнювальний чотирикратний малюнок (SAQP), — яка має на увазі оброблення заготовок у чотири проходи. Цей метод дасть можливість перейти до більш тонких техпроцесів із тим, щоб скоротити кількість нанометрів до 5-ти.
SAQP також потенційно може давати змогу виробляти сучасні чипи без використання сучасного обладнання для літографії в крайньому ультрафіолеті від голландської компанії ASML Holding NV. Видання нагадує, що ASML — єдиний постачальник машин EUV у світі, й вона не має права продавати їх у Китай через санкції США та Нідерландів.
Експерти з аналітичної компанії TechInsights заявили, що нова технологія справді може спрацювати, та КНР отримає власні 5-нанометрові процесори, однак вони наголосили, що без EUV-машин Китай все одно не зможе обійтися.
Раніше ми писали про те, що США покарають Китай за обхід санкцій і, можливо, смартфони Huawei залишаться без чипів. Білий дім має намір посилити обмеження проти SMIC та Huawei, долучивши Німеччину і Південну Корею до санкційної війни.
Також повідомляли, що техніка ЗС РФ залишиться без чипів, тому що росіяни збанкрутували свого ж виробника електроніки. Компанія "Ангстрем" не зможе виконати держоборонзамовлення, оскільки заборгувала корпорації ВЕБ.РФ 1,3 млрд рублів.