У 4 рази більше пам'яті: вчені розробили нову технологію зберігання даних (фото)

Компанія Weebit Nano Limited, що займається розробкою резистивної пам'яті, повідомила про те, що їй вдалося створити ReRAM-масиви на 300-міліметрових пластинах із використанням 28-нанометрового техпроцесу. Така технологія дозволить істотно підвищити щільність пам'яті.

Про це йдеться в офіційному релізі розробника.

ReRAM-масиви можуть бути використані для ШІ-систем, систем автономного кермування, 5G і сучасних процесорів Інтернету речей (IoT). Зазначимо, що раніше використовувався 40-нанометровий техпроцес. Тепер, коли вдалося досягти показників 28 нм, стало можливим збільшення щільності пам'яті — в 4 рази.

"28-нм масиви ReRAM реалізовані з використанням невеликого й енергоефективного комутаційного пристрою", — йдеться в релізі. "Тестування ReRAM Weebit з одним транзистором та одним резистором (1T1R) масиви, вбудовані в 28-нанометровий повністю збіднений кремній на ізоляторі (FDSOI), довели свою надійність, витривалість і збереження даних, поряд з іншими параметрами якості, ще на стадії виробництва".

У компанії вважають, що технологія ReRAM готова до того, щоб ставити її на потік. І багато виробників чекають цього, оскільки швидкість ReRAM практично досягла швидкості оперативної пам'яті (відмінність лише в тому, що вона енергозалежна, як і флеш-пам'ять). Однак, зробити це у Weebit Nano Limited обіцяли ще два роки тому, але тоді процес не пішов. Тепер, коли компанія залучила як стратегічного партнера інститут CEA-Leti (Франція), можливо, справа піде швидше.

Раніше ми повідомляли про те, що вчені з Південної Кореї розробили процесор на основі ДНК людини.