Учені створили органічний транзистор: потужність смартфонів зросте в рази

Японські інженери розробили органічні інтегральні схеми високопродуктивних мобільних пристроїв. Вони опублікували своє дослідження в науковому виданні Advanced Materials.

Мобільні пристрої стають дедалі меншими, а обсяг даних, які вони обробляють, стрімко зростає, особливо у сфері інтернету речей. Для розробки такої електроніки вже використовували інтегральні схеми з органічними транзисторами, що відрізняються гарною гнучкістю, легкістю та дешевизною, проте вони були несумісні з технологіями виробництва, що працюють зараз.

Існує п'ять операцій логічних затворів — "І", "АБО", "І-НЕ", "АБО-НЕ" або такий, що виключає "АБО". Співробітники Національного інституту матеріалознавства й Токійського наукового університету представили антиамбіполярний транзистор (AAT), здатний виконувати будь-яку з п'яти операцій логічних затворів, регулюючи вхідну напругу на подвійних затворах. Проблему з несумісністю вирішили за допомогою конструкції, що дозволяє зменшувати вихідний сигнал, коли напруга перевищує певний поріг. "Антиамбіполярний" означає наявність гетеропереходу, важливий для роботи схем.

Традиційна технологія інтегральних схем вимагає чотирьох транзисторів для формування схеми "І-НЕ" і 12 транзисторів для формування схеми, що виключає "АБО", однак винахід японців дозволяє обійтися лише одним. До того ж, органічний транзистор можна використовувати для збільшення щільності інтеграції органічних схем. Незабаром команда планує створити на базі нового транзистора інтегральні схеми, що електрично реконфігуруються, які можуть стати основою для високопродуктивних смартфонів або інших гаджетів.

"Концепція пристрою є перспективною для реалізації багатофункціональних логічних схем із простою схемою транзисторів. Отже, очікується, що ці результати перевершать поточні обмеження у додаткових пристроях метал-оксид-напівпровідниках", — зазначається у статті.

Раніше писали, що Samsung представила новий тип пам'яті, яка зробить смартфони ще розумнішими. За словами розробників, універсальний флеш-накопичувач UFS 4.0 отримав пропускну здатність до 23,2 Гбіт/с на смугу, тоді як у покоління 3.1 вона становить максимум 11,6 Гбіт/с. Нова пам'ять стане в нагоді для розробки 5G-смартфонів, яким потрібно обробляти великі обсяги даних, а також для бортових комп'ютерів автомобілів, AR- і VR-технологій.

Дослідники з Німецького Федерального відомства з радіаційного захисту склали список найбільш радіоактивних смартфонів у світі. Найсильніше неіонізуюче випромінювання зафіксували в пристроїв, вироблені компаніями Allview, Motorola, Wiko, ZTE, Asus і OnePlus, утім, у жодному випадку показник не перевищив поріг небезпеки, який становить 2 вати на кілограм.